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首頁 SCI期刊 工程技術(shù) 中科院2區(qū) 期刊介紹(非官網(wǎng))
Ieee Transactions On Electron Devices雜志

Gold OA文章占比:6.38%

OA被引用占比:0.0017...

開源占比:0.0674

研究類文章占比:100.00%

Ieee Transactions On Electron Devices

國際標準簡稱:IEEE T ELECTRON DEV

人氣 1887

《Ieee Transactions On Electron Devices》是一本專注于PHYSICS, APPLIED領(lǐng)域的English學(xué)術(shù)期刊,創(chuàng)刊于1954年,由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版,出版周期Monthly。該刊發(fā)文范圍涵蓋PHYSICS, APPLIED等領(lǐng)域,旨在及時、準確、全面地報道國內(nèi)外PHYSICS, APPLIED工作者在該領(lǐng)域的科學(xué)研究等工作中取得的經(jīng)驗、科研成果、技術(shù)革新、學(xué)術(shù)動態(tài)等。該刊已被SCIE數(shù)據(jù)庫收錄,在中科院JCR最新升級版分區(qū)表中,該刊分區(qū)信息為大類學(xué)科工程技術(shù)2區(qū),2023年影響因子為2.9。

  • 2區(qū)

    中科院分區(qū)
  • Q2

    JCR分區(qū)
  • SCIE

    期刊收錄
  • 是否預(yù)警
ISSN:0018-9383
出版地區(qū):UNITED STATES
出版周期:Monthly
E-ISSN:1557-9646
創(chuàng)刊時間:1954
出版語言:English
是否OA開放訪問:未開放
研究方向:工程技術(shù)-工程:電子與電氣
影響因子:2.9
年發(fā)文量:1084
出版商:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
平均審稿速度: 約4.7個月

Ieee Transactions On Electron Devices期刊簡介

IEEE Transactions on Electron Devices publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanoelectronics, optoelectronics, photovoltaics, power ICs and micro-sensors. Tutorial and review papers on these subjects are also published and occasional special issues appear to present a collection of papers which treat particular areas in more depth and breadth.

Ieee Transactions On Electron Devices中科院分區(qū)

中科院分區(qū)2023年12月升級版

大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 2區(qū) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區(qū) 3區(qū)

中科院分區(qū)2022年12月升級版

大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 2區(qū) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區(qū) 3區(qū)

中科院分區(qū)2021年12月舊的升級版

大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 2區(qū) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區(qū) 3區(qū)

中科院分區(qū)2021年12月基礎(chǔ)版

大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 3區(qū)

中科院分區(qū)2021年12月升級版

大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 2區(qū) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區(qū) 3區(qū)

中科院分區(qū)2020年12月舊的升級版

大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 2區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 2區(qū) 2區(qū)

中科院分區(qū):中科院分區(qū)是SCI期刊分區(qū)的一種,是由中國科學(xué)院國家科學(xué)圖書館制定出來的分區(qū)。主要有兩個版本,即基礎(chǔ)版和升級版。2019年中國科學(xué)院文獻情報中心期刊分區(qū)表推出了升級版,實現(xiàn)了基礎(chǔ)版和升級版的并存過渡;升級版是對基礎(chǔ)版的延續(xù)和改進,將期刊由基礎(chǔ)版的13個學(xué)科擴展至18個,科研評價將更加明確。

JCR分區(qū)(2023-2024年最新版)

按JIF指標學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 143 / 352
59.5%
學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 68 / 179
62.3%
按JCI指標學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 145 / 354
59.18%
學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 61 / 179
66.2%

JCR分區(qū):JCR(Journal Citation Reports)由科睿唯安公司(前身為湯森路透)開發(fā)。JCR沒有設(shè)置大類,只將期刊分為176個具體學(xué)科,也就是中科院分區(qū)中的小類學(xué)科。基于不同學(xué)科的當(dāng)年影響因子高低進行排序,將期刊的數(shù)量均勻分為四個部分,Q1區(qū)代表學(xué)科分類中影響因子排名前25%的期刊,以此類推,Q2區(qū)為前25%-50%期刊,Q3區(qū)為前50%-75%期刊,Q4區(qū)為75%以后期刊。

CiteScore 指數(shù)(2024年最新版)

  • CiteScore:5.8
  • SJR:0.785
  • SNIP:1.223

CiteScore排名:

學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q2 221 / 797
72%
大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 82 / 284
71%

CiteScore值計算方式:例如2024公布的CiteScore是將統(tǒng)計在 2020年-2023年間年所發(fā)表文章的引用次數(shù)除以在 2020年-2023年間所發(fā)表的發(fā)文總數(shù)。

CiteScore數(shù)據(jù)來源:是由全球著名學(xué)術(shù)出版商Elsevier(愛思唯爾)基于其Scopus數(shù)據(jù)庫推出的期刊評價指標。CiteScore指數(shù)以四年區(qū)間為基準來計算每本期刊的平均被引用次數(shù),并提供期刊領(lǐng)域排名、期刊分區(qū)的相關(guān)信息,它的作用是測量期刊的篇均影響力。

其它數(shù)據(jù)分析對比

近年中科院分區(qū)趨勢圖

近年IF值(影響因子)趨勢圖

影響因子:是美國科學(xué)信息研究所(ISI)的期刊引證報告(JCR)中的一項數(shù)據(jù)。指的是某一期刊的文章在特定年份或時期被引用的頻率,是衡量學(xué)術(shù)期刊影響力的一個重要指標。自1975年以來,每年定期發(fā)布于“期刊引證報告”(JCR)。

發(fā)文統(tǒng)計(統(tǒng)計區(qū)間:2023年-2024年)

國家/地區(qū) 發(fā)文量
CHINA MAINLAND 741
USA 455
India 399
Taiwan 232
South Korea 181
GERMANY (FED REP GER) 149
Japan 123
Italy 111
France 110
England 100
文章引用名稱 引用次數(shù)
Fully Inkjet-Printed Photode... 42
Effects of Postannealing on ... 37
Critical Role of Interlayer ... 28
Demonstration of Constant 8 ... 27
Ferroelectric FETs With 20-n... 22
2-D Layered Materials for Ne... 20
High Endurance Ferroelectric... 20
BTI Analysis Tool-Modeling o... 20
Improved Switching Stability... 18
Design and Investigation of ... 17
被引用期刊名稱 數(shù)量
IEEE T ELECTRON DEV 3214
IEEE ELECTR DEVICE L 865
JPN J APPL PHYS 565
IEEE J ELECTRON DEVI 499
SOLID STATE ELECTRON 431
IEEE ACCESS 422
SEMICOND SCI TECH 412
J APPL PHYS 400
APPL PHYS LETT 388
J COMPUT ELECTRON 284
引用期刊名稱 數(shù)量
IEEE T ELECTRON DEV 3214
IEEE ELECTR DEVICE L 1587
APPL PHYS LETT 1366
J APPL PHYS 866
SOLID STATE ELECTRON 384
PHYS REV B 305
ADV MATER 238
MICROELECTRON RELIAB 235
NANO LETT 209
ACS APPL MATER INTER 195

投稿注意事項

文章要求:

1、建議稿件控制10頁以上,文章撰寫語言為英語;(單欄格式,單倍行距,內(nèi)容10號字體,文稿類型包含:原創(chuàng)研究(Original Research)、案例報告(Case Report)、文獻綜述(Literature Review)等;文件格式包含word、PDF、LaTeX等。

2、稿件重復(fù)率控制10%以內(nèi),論文務(wù)必保證原創(chuàng)性、圖標、公式、引文等要素齊備,保證附屬資料的完整。已發(fā)表或引用過度的文章將不會被出版和檢索,禁止一稿多投,拒絕抄襲、機械性的稿件。

3、稿件必須有較好的英語表達水平,有圖,有表,有公式,有數(shù)據(jù)或設(shè)計,有算法(方案,模型),實驗,仿真等;參考文獻控制25條以上,參考文獻引用一半以上控制在近5年以內(nèi)。

圖片和圖表要求:

1、建議使用TIFF、EPS、JPEG格式 ,TIFF格式 使用LZW壓縮。

2、文件大小最大不超過20MB,不要以單個文件的形式上傳數(shù)據(jù)。

3、彩色圖片的分辨率≥300dpi;黑白圖片的分辨率在≥500dpi;line art圖片類型的分辨率≥1000dpi;色彩模式建議采用RGB,除非期刊注明要CMYK。

4、線條不要細于0.25pt,也不能太粗,超過1.5pt,過細或過粗都影響美觀。

5、表格一般和manuscrript放置在一個word文檔里部分期刊 需要單獨上傳表格。

作者信息:

1、包括作者姓名、最高學(xué)位,作者單位(精確到部門),郵箱,地址,郵編,關(guān)鍵詞,內(nèi)容,總結(jié),項目基金,參考文獻,作者相片+簡介(一定要確保作者信息準確無誤,提交稿件之后這部分不能再作改動)。

更多征稿細則請查閱雜志社征稿要求。本站專注期刊投稿服務(wù)十年,確保SCI檢索,稿件信息安全保密,合乎學(xué)術(shù)規(guī)范不成功不收費,詳情請咨詢客服。

雜志社聯(lián)系方式

IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141

免責(zé)聲明

若用戶需要出版服務(wù),請聯(lián)系出版商:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。

國內(nèi)期刊
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